SQJ464EP-T1_GE3
Número do Produto do Fabricante:

SQJ464EP-T1_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SQJ464EP-T1_GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 32A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventário:

11585 Pcs Novo Original Em Estoque
13006098
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SQJ464EP-T1_GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2086 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SQJ464

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay

VS-FB180SA10P

MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227

vishay

SUM110P08-11L-E3

MOSFET P-CH 80V 110A TO263

vishay

SIR186DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay

SUM90P10-19L-E3

MOSFET P-CH 100V 90A TO263