Número do Produto do Fabricante:
SQ2364EES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQ2364EES-T1_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventário:
19217 Pcs Novo Original Em Estoque
13058900
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SQ2364EES-T1_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
SQ2364
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SQ2364EES-T1_GE3CT
SQ2364EES-T1_GE3TR
SQ2364EES-T1_GE3DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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