Número do Produto do Fabricante:
SIRA12BDP-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SIRA12BDP-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventário:
9695 Pcs Novo Original Em Estoque
13006916
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ENVIAR
SIRA12BDP-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET® Gen IV
Empacotamento
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Ta), 60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1470 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / Estojo
PowerPAK® SO-8
Número do produto base
SIRA12
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Certificação DIGI
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