TP0610K-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

TP0610K-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

TP0610K-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventário:

30276 Pcs Novo Original Em Estoque
12870416
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TP0610K-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
185mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
TP0610

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
TP0610K-T1-GE3CT
TP0610KT1GE3
TP0610K-T1-GE3-DG
TP0610K-T1-GE3TR
TP0610K-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
nxp-semiconductors

BUK7619-100B,118

MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK

littelfuse

CPC5602CTR

MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223

stmicroelectronics

STF13N95K3

MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP

stmicroelectronics

STB2N62K3

MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263