Número do Produto do Fabricante:
SUM60030E-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SUM60030E-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventário:
12919490
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SUM60030E-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7910 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SUM60030
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SUM60030E-GE3TR
SUM60030E-GE3CT
SUM60030E-GE3DKR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDB86135
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1600
NÚMERO DA PEÇA
FDB86135-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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