Número do Produto do Fabricante:
SQM200N04-1M7L_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventário:
12786121
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SQM200N04-1M7L_GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
291 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11168 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
SQM200
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
SQM200N04-1M7L_GE3CT
SQM200N04-1M7L_GE3TR
SQM200N04-1M7L_GE3DKR
SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-DG
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB160N04S4LH1ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1895
NÚMERO DA PEÇA
IPB160N04S4LH1ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.40
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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