SIB800EDK-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIB800EDK-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIB800EDK-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 1.5A (Tc) 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6

Inventário:

RFQ Online
12919859
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SIB800EDK-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
LITTLE FOOT®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±6V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6
Pacote / Estojo
PowerPAK® SC-75-6
Número do produto base
SIB800

Informação Adicional

Outros nomes
SIB800EDK-T1-GE3TR
SIB800EDK-T1-GE3CT
SIB800EDKT1GE3
SIB800EDK-T1-GE3DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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