Número do Produto do Fabricante:
SI8435DB-T1-E1
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI8435DB-T1-E1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 10A 4MICROFOOT
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 10A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Inventário:
12914183
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SI8435DB-T1-E1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Pacote / Estojo
4-XFBGA, CSPBGA
Número do produto base
SI8435
Informação Adicional
Outros nomes
SI8435DBT1E1
SI8435DB-T1-E1TR
SI8435DB-T1-E1DKR
SI8435DB-T1-E1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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