SI2312BDS-T1-BE3
Número do Produto do Fabricante:

SI2312BDS-T1-BE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI2312BDS-T1-BE3-DG

Descrição:

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 3.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventário:

8986 Pcs Novo Original Em Estoque
12977847
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SI2312BDS-T1-BE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
850mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Si2312BDS

Informação Adicional

Outros nomes
742-SI2312BDS-T1-BE3TR
742-SI2312BDS-T1-BE3DKR
742-SI2312BDS-T1-BE3CT
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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