Número do Produto do Fabricante:
SI1414DH-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
SI1414DH-T1-GE3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 4A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventário:
12912602
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
3aBI
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SI1414DH-T1-GE3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-70-6
Pacote / Estojo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número do produto base
SI1414
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SI1414DH-T1-GE3DKR
SI1414DH-T1-GE3CT
SI1414DH-T1-GE3TR
SI1414DH-T1-GE3-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRLZ24SPBF
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
IRFPS35N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 34A SUPER247
SI4447DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
