SI1026X-T1-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SI1026X-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SI1026X-T1-GE3-DG

Descrição:

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)

Inventário:

292563 Pcs Novo Original Em Estoque
12916877
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SI1026X-T1-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
30pF @ 25V
Potência - Máx.
250mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
SC-89 (SOT-563F)
Número do produto base
SI1026

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SI1026X-T1-GE3DKR
SI1026XT1GE3
SI1026X-T1-GE3CT
SI1026X-T1-GE3TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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