2N7002
Número do Produto do Fabricante:

2N7002

Product Overview

Fabricante:

UMW

DiGi Electronics Número da Peça:

2N7002-DG

Descrição:

S0T-23 MOSFETS ROHS
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Inventário:

274 Pcs Novo Original Em Estoque
13002552
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
dGoq
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

2N7002 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
UMW
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
UMW
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
225mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
2N7002

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
4518-2N7002TR
4518-2N7002CT
4518-2N7002DKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
epc-space

FBG04N08ASH

GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

diodes

DMTH10H032LFVW-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33

diodes

DMN2009UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6