TK90S06N1L,LXHQ
Número do Produto do Fabricante:

TK90S06N1L,LXHQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK90S06N1L,LXHQ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 90A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+

Inventário:

9664 Pcs Novo Original Em Estoque
12939622
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

TK90S06N1L,LXHQ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5400 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
157W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK90S06

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
264-TK90S06N1LLXHQCT
264-TK90S06N1LLXHQDKR
TK90S06N1L,LXHQ(O
264-TK90S06N1LLXHQTR
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
microchip-technology

MSC100SM70JCU3

SICFET N-CH 700V 124A SOT227

onsemi

NTD80N02-001

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TJ60S04M3L,LXHQ

MOSFET P-CH 40V 60A DPAK

infineon-technologies

IRF7805ZTRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO