TK7S10N1Z,LQ
Número do Produto do Fabricante:

TK7S10N1Z,LQ

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

TK7S10N1Z,LQ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 7A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount DPAK+

Inventário:

5599 Pcs Novo Original Em Estoque
12889266
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TK7S10N1Z,LQ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK7S10

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
TK7S10N1ZLQTR
TK7S10N1ZLQDKR
TK7S10N1ZLQCT
TK7S10N1Z,LQ(O
Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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