Número do Produto do Fabricante:
TK62J60W,S1VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK62J60W,S1VQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventário:
4 Pcs Novo Original Em Estoque
12949830
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TK62J60W,S1VQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 30.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 3.1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P(N)
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
TK62J60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCH041N60F
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
365
NÚMERO DA PEÇA
FCH041N60F-DG
PREÇO UNITÁRIO
7.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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