Número do Produto do Fabricante:
TK49N65W,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK49N65W,S1F-DG
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 49.2A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
56 Pcs Novo Original Em Estoque
12920911
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TK49N65W,S1F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
49.2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 24.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de operação
150°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
TK49N65
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK49N65WS1F
TK49N65W,S1F(S
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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