Número do Produto do Fabricante:
TK34E10N1,S1X
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK34E10N1,S1X-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
5 Pcs Novo Original Em Estoque
12889476
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TK34E10N1,S1X Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
103W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
TK34E10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPP100N08N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
587
NÚMERO DA PEÇA
IPP100N08N3GXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.00
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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