Número do Produto do Fabricante:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK33S10N1L,LQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventário:
1997 Pcs Novo Original Em Estoque
12943189
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TK33S10N1L,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK33S10
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK33S10N1L,LXHQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3908
NÚMERO DA PEÇA
TK33S10N1L,LXHQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.45
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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