Número do Produto do Fabricante:
TK25S06N1L,LQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK25S06N1L,LQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventário:
1488 Pcs Novo Original Em Estoque
12942787
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
TK25S06N1L,LQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
855 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
57W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DPAK+
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
TK25S06
Informação Adicional
Outros nomes
264-TK25S06N1L,LQDKR
64320
264-TK25S06N1L,LQTR
264-TK25S06N1L,LQCT
264-TK25S06N1LLQTR-DG
264-TK25S06N1LLQTR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
2SJ664-E
MOSFET P-CH
RJL5012DPE-00#J3
MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK
CPH3307-TL-E
MOSFET P-CH
