Número do Produto do Fabricante:
TK17N65W,S1F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK17N65W,S1F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
12891148
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TK17N65W,S1F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
17.3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 900µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 300 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
TK17N65
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STW25N60M2-EP
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
600
NÚMERO DA PEÇA
STW25N60M2-EP-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.48
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IPW60R160P6FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
230
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
1.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
46
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PREÇO UNITÁRIO
3.15
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
237
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PREÇO UNITÁRIO
1.54
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