Número do Produto do Fabricante:
TK100L60W,VQ
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
TK100L60W,VQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Inventário:
444 Pcs Novo Original Em Estoque
12890607
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Mínimo 1
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TK100L60W,VQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
DTMOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.7V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
797W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P(L)
Pacote / Estojo
TO-3PL
Número do produto base
TK100L60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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