SSM6K810R,LF
Número do Produto do Fabricante:

SSM6K810R,LF

Product Overview

Fabricante:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Número da Peça:

SSM6K810R,LF-DG

Descrição:

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 3.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F

Inventário:

5954 Pcs Novo Original Em Estoque
12990059
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SSM6K810R,LF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
175°C
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP-F
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Número do produto base
SSM6K810

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
264-SSM6K810RLFTR-DG
264-SSM6K810RLFTR
264-SSM6K810R,LFDKR
264-SSM6K810R,LFCT
264-SSM6K810R,LFTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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