Número do Produto do Fabricante:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6K217FE,LF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventário:
25332 Pcs Novo Original Em Estoque
12891400
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Quantidade
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ENVIAR
SSM6K217FE,LF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVII-H
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 1A, 8V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SSM6K217
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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