Número do Produto do Fabricante:
SSM6J215FE(TE85L,F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
SSM6J215FE(TE85L,F-DG
Descrição:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventário:
27 Pcs Novo Original Em Estoque
12889758
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SSM6J215FE(TE85L,F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
630 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Número do produto base
SSM6J215
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SSM6J215FE(TE85LFDKR
SSM6J215FE(TE85LFCT
SSM6J215FE(TE85LFTR
SSM6J215FETE85LF
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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