Número do Produto do Fabricante:
RN1903FE,LF(CT
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1903FE,LF(CT-DG
Descrição:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12889265
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
6r2D
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RN1903FE,LF(CT Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
22kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
250MHz
Potência - Máx.
100mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
ES6
Número do produto base
RN1903
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RN1903FELF(CTCT
RN1903FE,LF(CB
RN1903FELF(CTDKR
RN1903FELF(CTTR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PEMH1,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4000
NÚMERO DA PEÇA
PEMH1,115-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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