Número do Produto do Fabricante:
RN1110MFV,L3F
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
RN1110MFV,L3F-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventário:
8000 Pcs Novo Original Em Estoque
12891181
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Quantidade
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Mínimo 1
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RN1110MFV,L3F Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA (ICBO)
Potência - Máx.
150 mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-723
Pacote de dispositivos do fornecedor
VESM
Número do produto base
RN1110
Informação Adicional
Outros nomes
264-RN1110MFV,L3FCT
RN1110MFV(TL3T)TR
RN1110MFV(TL3T)DKR-DG
RN1110MFV(TL3,T)
RN1110MFVL3FTR
RN1110MFVTL3T
RN1110MFVL3F
RN1110MFVL3FTR-DG
RN1110MFVL3FDKR
RN1110MFVL3FDKR-DG
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV(TL3T)CT
RN1110MFV(TL3T)DKR
RN1110MFV,L3F(B
RN1110MFV(TL3T)CT-DG
RN1110MFVL3FCT
RN1110MFVL3FINACTIVE
RN1110MFV(TL3T)TR-DG
RN1110MFVL3FCT-DG
RN1110MFVL3F-DG
264-RN1110MFV,L3FTR
264-RN1110MFV,L3FDKR
Pacote padrão
8,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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