Número do Produto do Fabricante:
2SK3566(STA4,Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventário:
386 Pcs Novo Original Em Estoque
12889363
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2SK3566(STA4,Q,M) Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
Tube
Série
π-MOSIV
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220SIS
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
2SK3566
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2SK3566STA4QM
2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566-NDR
2SK3566Q-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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