Número do Produto do Fabricante:
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SC6042,T2HOSH1Q(J-DG
Descrição:
TRANS NPN 375V 1A MSTM
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 1 A 1 W Through Hole MSTM
Inventário:
12891837
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2SC6042,T2HOSH1Q(J Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
1 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
375 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 800mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
SC-71
Pacote de dispositivos do fornecedor
MSTM
Número do produto base
2SC6042
Informação Adicional
Outros nomes
2SC6042T2HOSH1Q(J
2SC6042T2HOSH1QJ
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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