Número do Produto do Fabricante:
2SB1481(TOJS,Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SB1481(TOJS,Q,M)-DG
Descrição:
TRANS PNP 100V 4A TO220NIS
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventário:
12889863
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Quantidade
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Mínimo 1
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2SB1481(TOJS,Q,M) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
4 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 6mA, 3A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
2µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Potência - Máx.
2 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220NIS
Número do produto base
2SB1481
Informação Adicional
Outros nomes
2SB1481(TOJSQM)
2SB1481TOJSQM
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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