Número do Produto do Fabricante:
2SA1869-Y(Q,M)
Product Overview
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Número da Peça:
2SA1869-Y(Q,M)-DG
Descrição:
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 10 W Through Hole TO-220NIS
Inventário:
12889794
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2SA1869-Y(Q,M) Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
3 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 200mA, 2A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 2V
Potência - Máx.
10 W
Frequência - Transição
100MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220NIS
Número do produto base
2SA1869
Informação Adicional
Outros nomes
2SA1869YQM
2SA1869-Y(QM)
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
2SA2097(TE16L1,NQ)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
72
NÚMERO DA PEÇA
2SA2097(TE16L1,NQ)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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