Número do Produto do Fabricante:
CSD19501KCS
Product Overview
Fabricante:
Texas Instruments
DiGi Electronics Número da Peça:
CSD19501KCS-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12788602
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CSD19501KCS Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Texas Instruments
Embalagem
Tube
Série
NexFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3980 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
217W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
CSD19501
Folha de Dados & Documentos
Página do produto do fabricante
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-CSD19501KCS
296-37286-5
-296-37286-5-DG
TEXTISCSD19501KCS
CSD19501KCS-DG
-296-37286-5
-CSD19501KCSINACTIVE-NDR
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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