Número do Produto do Fabricante:
TSM4NB60CI
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4NB60CI-DG
Descrição:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventário:
12998613
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TSM4NB60CI Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número do produto base
TSM4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1801-TSM4NB60CI
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFIBC30GPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1568
NÚMERO DA PEÇA
IRFIBC30GPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.22
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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