Número do Produto do Fabricante:
STL18NM60N
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
STL18NM60N-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 2.1A (Ta), 12A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventário:
2686 Pcs Novo Original Em Estoque
12872789
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STL18NM60N Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Cut Tape (CT)
Série
MDmesh™ II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerFlat™ (8x8) HV
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
STL18
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-497-11847-6
-497-11847-2
497-11847-2
497-11847-1
497-11847-6
-497-11847-1
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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