Número do Produto do Fabricante:
SCTWA90N65G2V
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCTWA90N65G2V-DG
Descrição:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventário:
12989797
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
SCTWA90N65G2V Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
119A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3380 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
565W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 Long Leads
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
497-SCTWA90N65G2V
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
MSC015SMA070B
FABRICANTE
Microchip Technology
QUANTIDADE DISPONÍVEL
497
NÚMERO DA PEÇA
MSC015SMA070B-DG
PREÇO UNITÁRIO
24.79
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
TPW5200FNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
NTMFS006N12MCT1G
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
