Número do Produto do Fabricante:
SCT10N120H
Product Overview
Fabricante:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Número da Peça:
SCT10N120H-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Inventário:
12872417
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SCT10N120H Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
STMicroelectronics
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
H2PAK-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SCT10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SCT10N120H-DG
497-SCT10N120HCT
497-SCT10N120HDKR
497-SCT10N120HTR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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