US6J12TCR
Número do Produto do Fabricante:

US6J12TCR

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

US6J12TCR-DG

Descrição:

MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 12V 2A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6

Inventário:

3000 Pcs Novo Original Em Estoque
13525978
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

US6J12TCR Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
850pF @ 6V
Potência - Máx.
910mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
6-SMD, Flat Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
TUMT6
Número do produto base
US6J12

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
US6J12TCRTR
US6J12TCRCT
US6J12TCRDKR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
rohm-semi

QH8K51TR

MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8

rohm-semi

US6M1TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

rohm-semi

QS8J2TR

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

rohm-semi

SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP