Número do Produto do Fabricante:
RX3P12BATC16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RX3P12BATC16-DG
Descrição:
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 120A (Tc) 201W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
859 Pcs Novo Original Em Estoque
13001128
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RX3P12BATC16 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
385 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16600 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
201W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
RX3P12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
846-RX3P12BATC16
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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