Número do Produto do Fabricante:
RQ3E180GNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
RQ3E180GNTB-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventário:
4770 Pcs Novo Original Em Estoque
13526567
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RQ3E180GNTB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 39A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1520 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-HSMT (3.2x3)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Número do produto base
RQ3E180
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
RQ3E180GNTBTR
RQ3E180GNTBDKR
RQ3E180GNTBCT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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