Número do Produto do Fabricante:
QS8M31TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
QS8M31TR-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventário:
3630 Pcs Novo Original Em Estoque
13526109
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QS8M31TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Potência - Máx.
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos do fornecedor
TSMT8
Número do produto base
QS8M31
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
QS8M31DKR
QS8M31CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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