NTBGS2D5N06C
Número do Produto do Fabricante:

NTBGS2D5N06C

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NTBGS2D5N06C-DG

Descrição:

POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

796 Pcs Novo Original Em Estoque
12954659
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

NTBGS2D5N06C Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
27A (Ta), 169A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 35A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 175µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3510 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
488-NTBGS2D5N06CTR
488-NTBGS2D5N06CDKR
488-NTBGS2D5N06CCT
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SUD50N02-04P-E3

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

infineon-technologies

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LXHF

AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323

vishay-siliconix

SI7483ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8