FQT4N20LTF
Número do Produto do Fabricante:

FQT4N20LTF

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

FQT4N20LTF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

Inventário:

50 Pcs Novo Original Em Estoque
12840019
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FQT4N20LTF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
310 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
FQT4N20

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
FQT4N20LTFDKR
FAIFSCFQT4N20LTF
FQT4N20LTF-DG
FQT4N20LTFTR
FQT4N20LTFCT
2156-FQT4N20LTF-OS
Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
BSP297H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7629
NÚMERO DA PEÇA
BSP297H6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.30
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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