Número do Produto do Fabricante:
FCP650N80Z
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP650N80Z-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12847028
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FCP650N80Z Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperFET® II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 800µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
162W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FCP650
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCP650N80Z
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCP400N80Z
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
850
NÚMERO DA PEÇA
FCP400N80Z-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.50
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTP10N60P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTP10N60P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.26
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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