Número do Produto do Fabricante:
FCP11N60F
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCP11N60F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
996 Pcs Novo Original Em Estoque
12851177
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FCP11N60F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
SuperFET™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
FCP11
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FCP11N60F-DG
FCP11N60FFS
1990-FCP11N60F
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SIHP15N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
16573
NÚMERO DA PEÇA
SIHP15N60E-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.26
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PREÇO UNITÁRIO
2.28
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