Número do Produto do Fabricante:
2SJ656
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
2SJ656-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML
Inventário:
12836930
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2SJ656 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220ML
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
2SJ656
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
869-1053
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTP18P10T
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2485
NÚMERO DA PEÇA
IXTP18P10T-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.06
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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