Número do Produto do Fabricante:
PMN120ENEAX
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PMN120ENEAX-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 670mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventário:
10410 Pcs Novo Original Em Estoque
12831341
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
nH1K
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PMN120ENEAX Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
123mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.7V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
196 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
670mW (Ta), 7.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-TSOP
Pacote / Estojo
SC-74, SOT-457
Número do produto base
PMN120
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1727-8660-6
1727-8660-2
1727-8660-1
5202-PMN120ENEAXTR
934069658115
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
PSMN4R3-30PL,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
PSMN6R5-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
AUIRLL024N
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
