Número do Produto do Fabricante:
IXFN120N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN120N65X2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
93 Pcs Novo Original Em Estoque
12820518
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IXFN120N65X2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN120
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
632519
IXFN120N65X2X-DG
IXFN120N65X2X
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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