Número do Produto do Fabricante:
SPP80P06PHXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPP80P06PHXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
5150 Pcs Novo Original Em Estoque
12807507
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SPP80P06PHXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 5.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5033 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
340W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SPP80P06
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1-DG
SPP80P06P G
SP000441774
SPP80P06P H
448-SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06P H-DG
SPP80P06P G-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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