Número do Produto do Fabricante:
SPB08P06PGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPB08P06PGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
12807872
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Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
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SPB08P06PGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB08P
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SPB08P06PGATMA1CT
SPB08P06PGINDKR-DG
SPB08P06PGINCT
SPB08P06PGINCT-DG
IFEINFSPB08P06PGATMA1
2156-SPB08P06PGATMA1
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGATMA1TR
SPB08P06PGXT
SPB08P06PGINTR-DG
SP000102179
SPB08P06P G-DG
SPB08P06P G
SPB08P06PGATMA1DKR
SPB08P06PGINDKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SPB80P06PGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
41
NÚMERO DA PEÇA
SPB80P06PGATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.96
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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