ISC230N10NM6ATMA1
Número do Produto do Fabricante:

ISC230N10NM6ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

ISC230N10NM6ATMA1-DG

Descrição:

TRENCH >=100V PG-TDSON-9
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 7.7A (Ta), 31A (Tc) 3W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventário:

10000 Pcs Novo Original Em Estoque
12973605
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ISC230N10NM6ATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 6
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.7A (Ta), 31A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.3V @ 13µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
690 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8 FL
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
ISC230N

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-ISC230N10NM6ATMA1TR
448-ISC230N10NM6ATMA1CT
448-ISC230N10NM6ATMA1DKR
SP005402670
Pacote padrão
5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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