Número do Produto do Fabricante:
IRFH5110TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFH5110TR2PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventário:
12818503
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IRFH5110TR2PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3152 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001570790
IRFH5110TR2PBFCT
IRFH5110TR2PBFDKR
IRFH5110TR2PBFTR
Pacote padrão
400
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TPN1600ANH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1395
NÚMERO DA PEÇA
TPN1600ANH,L1Q-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.30
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
DMT10H015LFG-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
37130
NÚMERO DA PEÇA
DMT10H015LFG-7-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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